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公司核心产品和主要收入来源为碳化硅衬底。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引（2012年修订）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（分类代码：C39）”。根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴起的产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
公司是一家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要是做碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可大范围的应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体衬底材料在5G通信、电动汽车、新能源、国防等领域具有明确且可观的未来市场发展的潜力，是半导体产业重要的发展方向。
目前，公司基本的产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。公司自主研发的半绝缘型碳化硅衬底产品，实现了我国核心战略材料的自主可控。同时，公司的6英寸导电型碳化硅衬底正在全球知名的电力电子领域客户中做验证，并开始批量供货。
根据《中国战略性新兴起的产业：新材料（第三代半导体材料）》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压、耐高温、实现高频的性能。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，能够完全满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。
半绝缘型碳化硅衬底主要使用在于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。
根据Yole报告，随着通信基本的建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2020年的10.62亿美元增长至2025年的28.39亿美元，期间年均复合增长率达到21.73%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。
根据Yole报告，在全球半绝缘型碳化硅衬底市场，天岳先进市占率连续三年位于世界前三、在中国市场处于领先位置；
导电型碳化硅衬底主要使用在于制造功率器件。与传统硅功率器件制作流程与工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。
碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。根据Yole报告，2020年碳化硅功率器件的市场规模为7.31亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至44.67亿美元，复合年增长率约43.62%。碳化硅衬底的需求有望因此获益并取得快速增长。
公司实现了导电型衬底的批量供货，2022年7月，公司与客户签订了预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元的长期供货协议。公司正加快上海临港（600848）项目建设，以提高导电型衬底产能。
公司专注于碳化硅衬底材料的研发、生产及销售，主要通过向碳化硅半导体行业的下游企业、科研院所等客户销售碳化硅衬底产品实现收入和利润。此外，公司还销售生产的全部过程中无法达到半导体级要求的晶棒、不合格衬底等别的业务产品，为公司带来部分收入和利润。
公司研发工作由研发中心主导，实行层级管理的项目制运作，最重要的包含需求提交与论证、项目立项、项目执行、项目验收等各个环节。
公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范，在保证产品的质量的前提下，有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上，公司采取“以产定购、战略备货”相结合的采购模式，采购种类包括长晶所需物料、加工所需耗材、生产及检测设备、备品备件等。
公司实行以订单生产（Make To Order）为主的生产模式。在生产环节，公司采用信息化系统，制定了完善的生产的全部过程控制程序，建立了一套快速有效处理客户订单的流程，销售部门依照客户订单生成ERP系统内部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后，下达生产工单给生产部门，生产部门依据生产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制，达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公司生产模式有利于满足多种客户的需求，有利于提升订单按时交付率、产品的质量一致性和客户满意程度，并有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
公司主营业务采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户，为客户提供技术上的支持和服务，并承担行业趋势研究、市场调查与研究及公司产品推广等营销工作。
公司建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站，先后承担国家“核高基”重大专项等多项国家级研发与产业化项目。截至2022年6月末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权110项，实用新型专利授权320项，境外发明专利授权8项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖，2020年获得国家级专精特新“小巨人”企业认定，2021年获得制造业单项冠军示范企业认定等。
未来，公司将始终以客户为中心，不断加大研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场占有率，致力于成为国际宽禁带半导体行业的领军企业。
公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术，主要可分为正在使用的核心技术和处于储备阶段的核心技术。公司正在使用的核心技术指已应用于公司目前主营业务产品中的技术，详细情况如下：
公司的碳化硅单晶生长设备采用真空系统结构和材料设计，可在保持极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了高纯碳化硅粉料和碳化硅单晶生长腔室的纯度。此外，公司对设备自动化程度进行不断的提高，与晶体生长控制软件系统结合，能轻松实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。
碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。公司的热场仿真模拟团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不一样类型、不同尺寸的碳化硅单晶进行精确的热场仿真、模拟和设计，从而满足不同尺寸、不一样晶体的生长技术需求。
碳化硅粉料是碳化硅单晶生长的原料。由于合成环境及使用物料吸附杂质的影响，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。公司研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。
半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，碳化硅单晶电学性能的控制是基于精准的控制生长过程中进入到晶体中的杂质来实现的。
公司基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，实现了半绝缘碳化硅衬底的高阻电学特性和导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性。
碳化硅中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产生晶型转化，从而导致多型夹杂；碳化硅单晶生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。
公司通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和低微管密度的晶体生长；通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，提高了晶体结晶质量；自主研发了晶体生长界面移位控制技术和生长界面C/Si组分调控技术，实现了晶体连续生长的质量稳定可控。
单晶SiC材料的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，而且脆性高，属于典型的硬脆材料。公司开发了多块拼接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了独有的碳化硅晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套的多线切割工艺，每项参数均计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。
由于碳化硅单晶材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。
公司通过多年研究，研发了一整套的碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。例如，双端面研磨工艺中，公司自主设计了研磨液配方、研磨盘面和夹具模型、磨片修盘工艺；多级机械抛光工艺中，公司设计了金刚石磨料和多级抛光组合工艺；强氧化化学机械抛光（CMP）工艺中，公司开发了特有的强氧化性的抛光液配方。
CMP工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面微米级颗粒、沾污、金属离子等。公司自主研制了化学清洗液，开发了5步清洗工艺，可有效去除衬底表面的微小颗粒，在客户端达到了开盒即用的水平。
截至报告期末，公司及下属子公司累计拥有授权发明专利118项，其中，境内发明专利授权110项，境外发明专利授权8项。
注：2021年同期平均研发人员数量为68人，2022年同期平均研发人员数量为82人，平均研发人员数量为按照各月份人数进行加权平均。研发人员平均薪酬以研发人员薪酬合计数除以平均研发人员数量核算。
报告期内，公司实现营业总收入16,080.99万元，较上年同期下降34.95%；实现归属于母公司所有者的净利润-7,284.29万元，较上年同期下降252.05%。
报告期内，公司总资产581,800.58万元，较报告期初增加122.19%；归属于母公司的所有者权益535,263.40万元，较报告期初增加140.84%。
报告期内，在全球贸易争端不断、世界经济增长放缓、疫情影响持续在全球蔓延、国内经济下行压力加大的背景下，全球半导体产业呈现震荡发展的趋势。与此同时，国内外宽禁带半导体领域保持相对较高程度的投资规模。
公司继续对标世界科技前沿，持续推进公司发展战略，深耕碳化硅半导体材料领域，持续加大在大尺寸、导电型碳化硅半导体材料方向的研发投入，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形式，研发和市场拓展方面持续投入，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户的核心需求，推进精细化生产经营。公司在大尺寸和导电型等产品的研发、市场布局、业务拓展、以及订单签约等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得国内外客户积极的验证反馈，为公司持续健康发展提供了有力支撑。
报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、规范治理等方面不断向国际先进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、安全发展。
报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营等方面取得了积极成果：
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入，与国内外一流客户保持紧密合作，相关产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2022年上半年公司研发费用为5,313.50万元，相较去年同期增长27.50%。
公司持续打造国际著名的半导体材料公司市场形象，积极参与有影响力的市场活动，不断强化公司技术和品牌优势。报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，持续深化同海内外客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善产品质量的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键核心产品的工艺开发和验证，进一步提高产品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽大尺寸和导电型产品的生产能力并赢得更多的市场份额。
报告期内，公司通过了车规级IATF16949体系的认证，为公司产品的终端应用提供保障，加快产品在下游应用的渗透。
报告期内，考虑到临港项目因上海疫情的影响，公司在济南工厂将部分半绝缘产能调整为6英寸导电衬底生产，目前已经对部分客户形成批量供货。
报告期内，公司积极推动产品的客户验证工作。6英寸导电型产品已经获得多家国内外知名客户的验证通过，广泛的客户产品验证进展良好。2022年7月，公司与客户签订了预计金额13.93亿元的长期协议，具有较大的行业和市场影响力。
报告期内，公司持续加大研发，重点加强6英寸产品技术工艺升级，以持续提高公司产品质量保持竞争力。
报告期内，公司持续加大8寸导电型衬底产业化突破，在前期自主扩径实现8寸产品研发成功的基础上，加大技术和工艺突破，积极布局产业化。
2022年上半年，新冠肺炎疫情在全国各地多点爆发，对公司经营计划产生了一定的挑战。整体上，疫情对公司的经营业绩产生不利影响。一方面公司的临港项目在疫情管控中处于静态管理状态，另一方面对公司供应链也产生了较大的影响。
产能建设是公司关键重点之一。面对疫情造成的产能建设滞后，公司采取了战略应对措施，调整现有产能及产品规划，积极平衡短期交付压力、市场份额与长远稳定发展。公司战略性积极提升导电型产品产能和销售占比，努力提升导电型衬底的市场占有率。
疫情期间，公司一直积极主动配合新冠疫情防控工作的同时采取了应急措施，努力克服困难，全力应对疫情带来的不利影响。
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈进行内部讨论，制定出关键指标的改进要求。报告期内，公司营运效率持续提高，产品交付保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。
公司高度重视科技创新和知识产权保护。报告期末，公司及下属公司累计获得境内发明专利授权110项，实用新型专利授权320项，境外发明专利授权8项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，着重奖励在主营衬底产品方面做出杰出贡献并获得相应发明专利授权的员工，保持了公司专利保护规模和布局在同行业的领先地位，持续提升公司在国内外市场中的竞争力。
公司参与制定的国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》于2021年12月31日发布，于2022年7月1日开始实施。该项国家标准实施后有利于规范碳化硅晶体材料检测，促进碳化硅产品质量提升，引领行业健康、平稳、有序的发展。
人才是企业发展的根本动力，公司高度重视人才的吸引和发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才。截至报告期末，公司研发人员人数为90人，其中包括10名博士、28名硕士。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的向高绩效员工倾斜。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。
半导体材料属于高度技术密集型行业，特别是碳化硅单晶衬备具有很高的技术壁垒，而技术迭代更新需要长期持续开展大量创新性的工作，同时需要获取大量的技术数据积累。登陆资本市场后，我们将继续强调公司推动行业发展的责任感，立足公司在产业链的优势地位，为我国宽禁带半导体产业链的加速发展做好贡献。
公司所处的半导体材料行业属于技术密集型行业，涉及热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械、材料等多学科交叉知识的应用。宽禁带半导体产品具有研发周期长、研发难度高、研发投入大的特点。
在半导体材料领域升级迭代的过程中，若公司产品技术研发创新无法持续满足市场对产品更新换代的需求或持续创新能力不足、无法跟进行业技术升级迭代，可能会受到其他具有竞争力的替代技术和产品的冲击，导致公司的技术和产品无法满足市场需求，从而影响公司业绩的持续增长。
目前，公司与全球行业龙头企业的同尺寸产品在技术参数上不存在明显差距，但在各尺寸量产能力推出时间、大尺寸产品供应情况及供应链配套等方面仍与全球龙头企业存在一定差距。
由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，因此在碳化硅衬底各尺寸量产推出时间方面，公司与全球行业龙头企业存在差距：以半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于公司10年以上及7年以上；截至目前，公司尚不具备8英寸衬底的量产能力，全球行业龙头企业已于2019年或以前具备8英寸衬底量产能力。
在大尺寸产品供应情况方面，根据公开信息，行业龙头科锐公司能够批量供应4英寸至6英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底，且已成功研发并开始建设8英寸产品生产线。目前，公司主要产品是4英寸半绝缘型碳化硅衬底，6英寸半绝缘型和6英寸导电型衬底已形成小批量销售，与全球行业龙头尚存在一定的差距。
在供应链配套方面，公司的产品技术发展亦受材料、设备供应的一定影响。行业龙头企业由于能够结合上游原材料、设备供应商的技术发展趋势进行提前布局以实现产品技术突破。公司由于起步相对较晚，技术创新难度相对更大，因此公司在供应链配套对产品技术影响方面，与行业龙头企业尚存在一定差距。
综上，公司在各尺寸量产能力推出时间、大尺寸产品供应情况及供应链配套等方面仍与全球龙头企业存在一定差距。若公司无法弥补与全球龙头企业之间在产品技术上的差距，将对公司业务拓展、收入增长和持续经营带来不利影响。
作为典型的技术密集型企业，公司还面临核心技术人员流失或不足、技术泄密、知识产权被侵权或被宣告无效或撤销等高科技企业共同面临的技术风险。
半导体材料行业对于专业人才尤其是研发人员的依赖程度较高，核心技术人才是公司生存和发展的重要基石，若公司核心技术人员流失或无法继续培养或招揽，将对公司的研发生产造成重大不利影响。
若公司相关核心技术内控制度不能得到有效执行，或者出现重大疏忽、恶意串通、舞弊等行为而导致公司核心技术泄露，将对公司的核心竞争力产生负面影响。
公司的专利、专有技术或商业机密可能被盗用或不当使用，公司知识产权可能被宣告无效或撤销，甚至与竞争对手产生纠纷。同时，可能出现公司员工对于知识产权的认识出现偏差等因素出现侵犯第三方知识产权的风险。
报告期内，公司主要产品为半绝缘型碳化硅衬底产品，导电型碳化硅衬底产品的销售金额及占比较小。半绝缘型碳化硅衬底产品主要用于新一代信息通信和微波射频等领域，相关领域下游龙头企业的集中度相对较高，且对衬底的需求较大。
报告期内，公司前五大客户的销售额占2022年上半年销售总额的比例为74.59%，客户集中度较高。如果未来公司依赖上述客户不进行业务拓展，或新客户拓展不及预期，同时无法持续获得现有主要客户的合格供应商认证并持续获得订单，或公司与主要客户合作关系被其他供应商替代，或如果未来公司主要客户的经营、采购战略发生较大变化，或由于公司产品质量等自身原因流失主要客户，或目前主要客户的经营情况和资信状况发生重大不利变化，导致公司无法在主要客户的供应商体系中持续保持优势，无法继续维持与主要客户的合作关系，将对公司经营产生不利影响。
报告期内，公司向前五大原材料最终供应商的采购金额占当期采购总额的76.45%，集中度相对较高。若公司无法寻找合适的替代供应商，一旦主要供应商业务经营发生不利变化、产能受限或合作关系紧张，可能导致供应商不能足量及时出货，甚至出现双方合作关系破裂的情况，将对公司生产经营产生不利影响。
作为半导体材料生产企业，原材料和生产设备是公司的重要生产资料。公司生产所需的原材料主要包括碳粉和硅粉等主料和石墨件、石墨毡、抛光液、金刚石粉等辅料。生产设备主要包括长晶炉、切割研磨设备等。
宏观经济形势变化、行业供需情况变化等可能对原材料及生产设备的供应及价格产生不利影响。如果未来原材料或生产设备价格出现较大幅度上涨，导致公司产品的生产成本增加，可能会对公司主要产品的毛利率水平及经营业绩产生不利影响。
由于碳化硅晶体的生长环境复杂、工艺控制难度大，公司无法完全避免产品质量的缺陷。例如，碳化硅单晶生长周期长、控制难度大，易产生微管、包裹物等缺陷；碳化硅单晶包括200多种不同晶型，制备过程中单一特定晶型难以稳定控制，生长过程中易产生晶型转变造成多型夹杂缺陷；碳化硅单晶生长热场存在温度梯度，导致晶体生长过程中存在原生内应力及由此诱生的位错、层错等缺陷。公司的产品质量问题可能对公司的品牌形象、客户关系等造成负面影响，可能需承担相应的赔偿责任，不利于公司业务经营与发展。若公司不能持续提升产品质量参数，提供具备质量优势的产品，可能对公司经营业绩、财务状况造成不利影响。
相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅衬底短期内依然会面临制备难度大、成本高昂的挑战。例如，目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存在较大的挑战。
因此，上述碳化硅衬底成本制约因素可能导致碳化硅器件难以在下游市场快速实现行业应用的渗透和发展，导致整体行业发展不达预期，对公司的经营产生不利影响。
报告期内，公司归属于母公司所有者的净利润为-7,284.29万元；截至2022年6月30日，公司合并口径累计未分配利润为-14,881.53万元，公司最近一期末存在累计未弥补亏损。
由于碳化硅材料的持续研发需要大量投入，若公司未来因持续投入，或继续进行股权激励等原因导致盈利能力下降或者亏损，则可能导致公司累计未弥补亏损持续为负，公司将无法进行利润分配，进而对投资者的投资收益造成一定程度不利影响。
报告期内，因主要产品产能切换等原因导致主营业务毛利率5.92%，较上年同期下降34.06个百分点。公司主营毛利率受生产成本、产品售价、产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场竞争的加剧，公司必须根据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新。若公司未能正确判断下游需求变化，或公司技术实力停滞不前，或公司未能有效控制产品成本等，将可能导致公司毛利率出现波动甚至下降，进而对公司经营造成不利影响。
报告期内，受疫情、供应链受阻等影响，对公司产品销售造成了一定影响；同时，报告期内公司在主要产品结构调整过程中，受到市场价格及需求波动导致主营业务毛利率产生下降，叠加管理费用、销售费用以及研发费用增加等因素影响，报告期内公司归母净利润出现较大幅度亏损。若以上不利因素不能较快扭转，且不能有效降低产品成本或快速完成产品结构调整，公司业绩存在进一步去下滑或亏损的风险。
报告期末，公司存货账面价值占期末流动资产的比例为12.05%。报告期内，公司为应对国际贸易形势变化，对主要原材料及辅料进行储备，导致报告期末存货金额较大，如果公司工艺技术进步导致储备的材料无法满足生产需求，将产生存货跌价损失，进而对公司经营业绩造成不利影响。同时，由于国内碳化硅衬底行业尚处于快速发展阶段，下游客户对衬底参数指标的要求可能随应用需求的变化而更新，若未来下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，公司未及时销售的产成品可能导致跌价损失，进而对公司经营业绩造成不利影响。
随着公司经营规模扩大，公司应收账款规模和应收票据总体上有所增加。报告期末，公司应收账款净额为9,596.29万元，应收票据（包含应收款项融资）余额为1,701.39万元。随着经营规模的扩大，公司应收账款和应收票据规模可能进一步增加，若经济形势恶化或下游客户、承兑银行经营情况发生不利变化，公司将可能面临应收账款和应收票据不能及时足额收回的风险。
公司不断加大研发投入力度，报告期内，公司研发费用金额为5,313.50万元，占营业收入的比例为33.04%，金额及占比较高，且公司研发投入仍保持快速增长态势。公司持续加大大尺寸衬底及导电型衬底等新产品的研发，研发投入能否形成研发成果具有一定不确定性，研发成果向经济效益的转化亦存在一定的滞后性，如公司短期内大规模的研发投入未能产生预期效益，可能对经营业绩带来不利影响。
国家出台了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》、《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等一系列政策对宽禁带半导体行业进行支持和鼓励。
同时，为防范半导体行业投资过热等风险，“国务院关于促进集成电路产业健康发展的指导意见”要求对集成电路重点项目实施项目窗口指导，强化高风险项目管理。
若国家降低对宽禁带半导体产业扶持力度，或者国家出台进一步的约束性产业政策或窗口指导等措施，或公司拟投资项目被纳入约束性产业政策监管调控范围，进而导致公司无法扩大生产规模，将对公司运营、持续盈利能力及成长性产生不利影响。
2020年初以来，全球新型冠状病毒肺炎疫情爆发，对全球经济产生了重大不利影响。由于目前全球范围内的新冠疫情仍在发展，延续时间及影响范围尚难以估计，若疫情进一步持续或加剧，不排除我国或公司客户、供应商所在国家采取新的防疫措施，对公司的经营业绩造成不利的影响。
报告期内，公司计入其他收益的政府补助金额为1,382.49万元，占同期公司收入的比例为8.60%。若未来公司不能继续获得政府补助或获得的政府补助减少，将对公司业绩产生不利影响。
报告期内，公司享受高新技术企业15%的所得税优惠税率，公司出口的主要产品享受增值税出口退税“免、抵、退”相关政策，若未来上述税收优惠政策发生变化或者公司不再符合税收优惠条件，则可能对公司的经营业绩和盈利产生不利影响。
公司还将面临宏观经济和行业波动、产业政策变化、市场竞争加剧等因素带来的经营风险。若未来宏观经济疲软、下游市场需求下滑、国家相关产业政策支持力度减弱、或国际先进企业和国内新进企业的双重竞争态势愈发激烈，都将对公司的生产经营产生不利影响。
报告期内，公司实现营业总收入16,080.99万元，较上年同期下降34.95%；实现归属于母公司所有者的净利润-7,284.29万元，较上年同期下降252.05%。
报告期内，公司总资产581,800.58万元，较报告期初增加122.19%；归属于母公司的所有者权益535,263.40万元，较报告期初增加140.84%。
营业收入变动原因说明:主要系上半年度疫情及国际形势变化对公司新建产能进度造成不利影响，公司积极调整现有产能，逐步加大导电型衬底产能，在主要产品结构调整过程中，因产线调整等导致临时性产能下降，进而影响销售和营业收入。此外，因公司产品价格受到宏观经济影响下市场需求波动等有所下降所致
研发费用变动原因说明:主要系公司持续加大6英寸产品技术工艺升级，8英寸产品产业化研发等大尺寸和导电型产品研发投入增加所致
经营活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系报告期内销售商品收到的现金减少、支付给职工的现金增加以及公司收到政府补助减少所致
投资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系公司购买银行理财产品金额增加所致
筹资活动产生的现金流量净额变动原因说明:主要系公司首次公开发行股票收到募集资金所致
其中：境外资产4,040,716.26（单位：元币种：人民币），占总资产的比例为0.07%。
公司于2022年3月30日召开第一届董事会第十二次会议和第一届监事会第十次会议，审议通过了《关于使用募集资金向全资子公司增资及提供借款以实施募投项目的议案》。公司拟使用人民币34,000万元的募集资金向上海天岳增资以及拟使用人民币40,000万元的募集资金向上海天岳提供无息借款，以实施公司募集资金投资项目“碳化硅半导体材料项目”。
公司使用人民币34,000万元的募集资金向上海天岳增资，工商变更事项正在办理中。
上海天岳经营范围为：一般项目：电子专用材料研发、电子专用材料制造，电力电子元器件制造；电力电子元器件销售；半导体器件专用设备销售；半导体器件专用设备制造；半导体分立器件制造；合成材料制造（不含危险化学品）；货物进出口；技术进出口；半导体照明器件制造；半导体照明器件销售；半导体分立器件销售；电子元器件制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路设计；电子元器件批发；电子元器件零售；合成材料销售；光电子器件制造；光电子器件销售，电子专用材料销售。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）。上海天岳为公司全资子公司。报告期内不涉诉。
碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，具有很高的技术壁垒。技术迭代更新需要长期持续开展大量创新性的工作，同时需要获取大量的技术数据积累，以完成各工艺环节的精准设计。公司自成立以来，专注于碳化硅单晶半导体的制备技术，经过十余年的技术发展，自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术、不一样的尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不一样的尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清洗等关键技术；较早在国内实现了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产业化，成为全球少数能批量供应高质量4英寸半绝缘型碳化硅衬底的企业；完成了6英寸导电型碳化硅衬底的研发并开始了小批量销售。
公司在技术开发过程中，始终支持技术人员对各自负责的技术环节进行知识产权保护，从而编制出完整的技术保护网，于2018年被评为国家知识产权优势企业。截至2022年6月末，公司及下属子公司拥有境内发明专利110项，实用新型专利320项，境外发明专利8项，涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等技术环节，形成了有效的产品知识产权保护机制。同时，公司有专业的知识产权专家，不断通过专利分析导航来进行预警和完善专利布局。
在商标注册方面，公司在多类别注册了“SICC”及“天岳”商标，并在海外17个国家或地区注册了“SICC”商标，对公司品牌进行保护。
公司自建立以来，承担了多项国家及省部级重大科研项目，包括国家高新技术研究发展计划（863计划）、国家科技重大专项、国家重点研发计划、山东省重点研发计划、山东省重大科技创新工程等国家及省部级项目20余项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖、2020年获得山东省科学技术进步一等奖、2014年获得山东省技术发明一等奖、2017年获得济南市科技进步一等奖。此外，公司于2015年完成了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产品鉴定、2017年完成了6英寸导电型碳化硅衬底科技成果鉴定和产品鉴定，产品性能及核心指标达到国内领先、国际领先水平。
公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站等国家和省级研发平台。公司强大的科研实力，不仅促进了碳化硅产业的技术进步和结构调整，同时支撑了地方现代化经济体系建设，提升了区域经济的创新力和竞争力。
公司在生产方面具有先发优势与规模优势。作为国内较早从事碳化硅衬底业务的生产企业，公司具有丰富的技术储备和生产管理经验、较强的产品质量控制能力和一定的产业规模。未来，随着公司募集资金投资项目及其他建设项目的逐步实施，公司产销规模将进一步扩大，同时产品结构将得以进一步优化，公司市场地位及竞争能力将持续提升。
碳化硅衬底作为半导体器件的基础材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试实现最终应用，整个工艺链条生产验证环节复杂、验证周期长。作为上游的关键衬底材料，下游客户一旦通过验证，一般不会轻易变更衬底材料的供应商。
公司在国内较早实现了碳化硅衬底的批量供应，并且产品参数指标优异、性能不断提升，经过了下游企业的长期验证，产品品质得到了客户的高度认可。在国外技术产品封锁和贸易摩擦加剧的背景下，公司主要产品4英寸半绝缘碳化硅衬底有效保障了国内供应，实现国家核心产业战略物资的自主可控。
公司作为国内较早从事碳化硅衬底业务的企业，公司产品已批量供应至下游核心客户，同时公司正在积极完善6英寸导电型产品，已经送样至多家下游客户进行验证，形成了较强的客户资源优势，确保了公司在行业内的领头羊。
碳化硅衬底技术开发和产业化生产需要大量专业的技术人才和管理人才。公司始终重视人才队伍的建设，通过自主培养和引进各类技术和管理人才，提高技术开发能力和生产能力。公司通过技术科研平台不断吸引业内优秀人才加入，公司研发团队成员主要由来自国内顶尖高校的优秀硕士、博士组成，承担并顺利完成了多项国家及省部级重大课题，同时完成了从产品开发到产业化转化的过程，在技术开发和规模化生产过程中积累了大量的实战经验，可以保证后续各项技术开发工作的顺利进行。
公司通过项目承担、岗位竞聘等方式对技术人才进行遴选，通过设立项目奖金、股权激励等方式对技术人才进行激励，既保证了人才队伍的竞争力，同时也保证了人才队伍的稳定性。
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